Pinnacle300 12英寸槽式清洗設(shè)備適用于集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料、硅基微顯示領(lǐng)域的清洗工藝。Pinnacle300 12英寸槽式清洗設(shè)備主要由傳輸模塊、工藝模塊、藥液供給系統(tǒng)、電源柜等組成。傳輸模塊將晶圓傳送到指定位置，可同時(shí)傳送50片，工藝模塊用于清洗和蝕刻，藥液供給模塊用于高精度藥液配比、加熱、供給、濃度監(jiān)測(cè)。

設(shè)備特點(diǎn)

•多藥液工藝槽與 DIO 附屬功能適配：支持根據(jù)工藝需求配備多個(gè)獨(dú)立藥液工藝槽，每個(gè)槽體可對(duì)應(yīng)不同清洗 / 蝕刻流程（如光刻膠去除槽、金屬雜質(zhì)清洗槽、氮化硅蝕刻槽），實(shí)現(xiàn) “一槽一工藝” 的精準(zhǔn)分區(qū)，避免不同藥液交叉污染；同時(shí)可兼容 DIO（如在線檢測(cè)、實(shí)時(shí)監(jiān)控）等附屬功能，通過(guò)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)反饋優(yōu)化工藝參數(shù)，進(jìn)一步提升工藝可控性。

•量身定制軟件與快速更新能力：軟件系統(tǒng)并非通用模板，而是根據(jù)具體工藝需求（如不同領(lǐng)域的清洗標(biāo)準(zhǔn)、特定材料的處理邏輯）量身開(kāi)發(fā)，降低員工學(xué)習(xí)成本；更具備快速更新能力 —— 當(dāng)客戶工藝迭代（如切換新的蝕刻材料、調(diào)整清洗步驟）時(shí)，無(wú)需更換硬件，僅通過(guò)軟件升級(jí)即可適配新需求，大幅縮短工藝切換周期。

•高穩(wěn)定性溫度控制：工藝模塊與藥液供給系統(tǒng)均搭載高精度溫控組件，實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)加熱功率，將藥液溫度、工藝槽環(huán)境溫度的波動(dòng)控制在極小范圍。穩(wěn)定的溫度環(huán)境是保障化學(xué)反應(yīng)速率一致的關(guān)鍵，可有效避免因溫度波動(dòng)導(dǎo)致的局部清洗不干凈、蝕刻速率不均等問(wèn)題，確保 12 英寸晶圓各區(qū)域工藝效果統(tǒng)一。

•超高補(bǔ)水精度：在藥液循環(huán)或長(zhǎng)時(shí)間工藝運(yùn)行中，藥液會(huì)因揮發(fā)導(dǎo)致濃度升高，此時(shí)補(bǔ)水系統(tǒng)會(huì)精準(zhǔn)補(bǔ)充去離子水以維持濃度穩(wěn)定，通過(guò)微量補(bǔ)水避免濃度驟變，保障藥液性能持續(xù)穩(wěn)定，尤其適合對(duì)濃度敏感的金屬雜質(zhì)去除、精細(xì)蝕刻等工藝。

•精準(zhǔn)蝕刻速率控制：通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)蝕刻過(guò)程中的材料厚度變化（如搭載光學(xué)厚度傳感器），動(dòng)態(tài)調(diào)整藥液流量、反應(yīng)時(shí)間等參數(shù)，控制蝕刻速率偏差。這一行為可滿足集成電路、硅基微顯示等領(lǐng)域?qū)?“材料去除量精準(zhǔn)可控” 的需求，避免過(guò)度蝕刻導(dǎo)致的晶圓報(bào)廢或蝕刻不足影響后續(xù)工序。

•優(yōu)秀干燥效果：清洗 / 蝕刻后的晶圓若殘留水分，會(huì)導(dǎo)致后續(xù)工藝中出現(xiàn)氧化、污染等問(wèn)題。該設(shè)備的干燥模塊采用熱風(fēng)循環(huán)與真空輔助結(jié)合的方式，可快速去除晶圓表面水分，且避免干燥過(guò)程中產(chǎn)生水痕、顆粒殘留；干燥后晶圓表面水含量可控制在極低水平，為后續(xù)沉積、光刻等工藝提供潔凈的基底環(huán)境。

產(chǎn)品應(yīng)用

•晶圓尺寸適配：專為12 英寸晶圓設(shè)計(jì)，從傳輸軌道寬度、工藝槽尺寸到定位精度，均針對(duì) 12 英寸晶圓的物理特性優(yōu)化，可穩(wěn)定處理該尺寸下的各類晶圓，適配大尺寸晶圓產(chǎn)線的批量生產(chǎn)需求。

•適用材料覆蓋：覆蓋半導(dǎo)體制造中多種關(guān)鍵材料，每種材料均有對(duì)應(yīng)的專屬處理方案 —— 光阻（針對(duì)光刻后殘留的光刻膠，采用專用溶劑與溫度參數(shù)實(shí)現(xiàn)無(wú)殘留去除）、單晶硅 / 多晶硅（襯底核心材料，通過(guò)溫和清洗去除表面雜質(zhì)，避免損傷襯底結(jié)構(gòu)）、氧化硅 / 氮化硅（介質(zhì)層材料，支持選擇性蝕刻與清潔）、金屬膜（如鋁、銅等互連層金屬，可精準(zhǔn)去除表面氧化層或殘留金屬顆粒）、金屬氧化物（如氧化鉿、氧化鑭等新型介質(zhì)材料，采用適配的化學(xué)試劑避免材料分解）。

•適用工藝場(chǎng)景：覆蓋晶圓制造多環(huán)節(jié)的工藝需求，每個(gè)工藝均對(duì)應(yīng)明確的生產(chǎn)價(jià)值：

爐前清洗：晶圓進(jìn)入爐管工藝（如氧化、擴(kuò)散）前的 “預(yù)處理清潔”，去除表面油污、金屬雜質(zhì)，避免雜質(zhì)在高溫下擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部，影響器件電學(xué)性能；

刻蝕 / 拋光后清洗：刻蝕后去除殘留的蝕刻試劑與聚合物，拋光后去除研磨漿料與劃痕處的殘留顆粒，為后續(xù)工藝提供潔凈表面；

光阻、金屬氧化物、氮化物去除：分別對(duì)應(yīng)光刻后光阻剝離、新型介質(zhì)層的選擇性去除、氮化物保護(hù)層的剝離，滿足不同工序的材料處理需求；

控?fù)跗厥眨簩?duì)產(chǎn)線中用于 “保護(hù)晶圓、優(yōu)化工藝” 的控?fù)跗M(jìn)行清洗，去除表面污染與殘留材料，實(shí)現(xiàn)控?fù)跗貜?fù)利用，降低客戶耗材成本。

•適用領(lǐng)域延伸：

集成電路領(lǐng)域：支撐 12 英寸邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片制造全流程的清洗與蝕刻需求，尤其適配工藝節(jié)點(diǎn)對(duì)精度的高要求；

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域：針對(duì)碳化硅、氮化鎵等功率器件的材料特性，提供溫和且精準(zhǔn)的清洗方案，避免損傷功率器件的高壓結(jié)構(gòu)；

襯底材料領(lǐng)域：用于 12 英寸硅襯底、特種襯底的表面清潔，去除制備過(guò)程中的雜質(zhì)與缺陷，提升襯底純度；

硅基微顯示領(lǐng)域：適配微顯示器件（如硅基 OLED、Micro LED）的精細(xì)結(jié)構(gòu)清洗需求，確保微小像素區(qū)域無(wú)殘留、無(wú)損傷，保障顯示效果。