APS Series感應(yīng)式SiC長(zhǎng)晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng)。APS Series感應(yīng)式SiC長(zhǎng)晶爐創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可提供高純材料生長(zhǎng)能力，擁有高精度的控溫、控壓能力，工藝性能優(yōu)良，設(shè)備一致性好，具有豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

設(shè)備特點(diǎn)

•多尺寸與多類型晶體適配性

設(shè)備可穩(wěn)定支持 6 英寸、8 英寸兩種主流晶圓尺寸的 SiC 晶體生長(zhǎng)，無(wú)需大規(guī)模改造設(shè)備結(jié)構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)不同尺寸的工藝切換，適配從中小批量研發(fā)到大規(guī)模量產(chǎn)的不同需求。同時(shí)，針對(duì)導(dǎo)電型與高純半絕緣型兩類 SiC 晶體的生長(zhǎng)特性差異，設(shè)備在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、氣氛控制等方面進(jìn)行了針對(duì)性優(yōu)化，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì) SiC 晶體的性能需求。

•專業(yè)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)助力高純材料生長(zhǎng)

設(shè)備采用定制化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)共同作用，為 SiC 晶體生長(zhǎng)提供潔凈、穩(wěn)定的環(huán)境，助力制備高純度晶體。

•適配長(zhǎng)時(shí) / 高溫 / 低壓工藝，拓寬生長(zhǎng)窗口

SiC 晶體生長(zhǎng)需在特定的苛刻條件下進(jìn)行（通常需長(zhǎng)時(shí)間高溫加熱、低壓環(huán)境），設(shè)備通過(guò)強(qiáng)化加熱系統(tǒng)的穩(wěn)定性與腔室壓力控制精度，可適配這類工藝需求：加熱系統(tǒng)能長(zhǎng)期維持晶體生長(zhǎng)所需的高溫且溫度波動(dòng)小，保障晶體生長(zhǎng)速率穩(wěn)定；壓力控制系統(tǒng)可將腔室壓力精準(zhǔn)維持在低壓區(qū)間，減少雜質(zhì)與 SiC 熔體的反應(yīng)概率。這種工藝適配性拓寬了高質(zhì)量 SiC 晶體的生長(zhǎng)參數(shù)范圍，讓操作人員可在更靈活的參數(shù)區(qū)間內(nèi)調(diào)整工藝，探索更優(yōu)的晶體生長(zhǎng)方案，同時(shí)也為大規(guī)模生產(chǎn)中工藝的穩(wěn)定性提供保障。

•配套豐富輔助設(shè)備，完善生產(chǎn)流程

設(shè)備并非單一的長(zhǎng)晶裝置，而是可搭配多款輔助設(shè)備形成完整的晶體制備鏈條，包括大產(chǎn)能原料合成爐、晶錠退火爐、氮化鋁（AIN）長(zhǎng)晶爐等：大產(chǎn)能原料合成爐可批量制備高純度 SiC 原料，滿足大規(guī)模長(zhǎng)晶的原料供應(yīng)需求；晶錠退火爐用于長(zhǎng)晶后的晶錠熱處理，減少晶錠內(nèi)部應(yīng)力，提升晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性；AIN 長(zhǎng)晶爐則可同步制備 AIN 晶體（AIN 常用于高頻、高溫器件襯底），進(jìn)一步拓展設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景。輔助設(shè)備與主長(zhǎng)晶爐的協(xié)同，能提升整體生產(chǎn)效率，減少不同設(shè)備間的工藝銜接誤差。

產(chǎn)應(yīng)用

•晶圓尺寸適配

明確支持 6 英寸與 8 英寸晶圓對(duì)應(yīng)的 SiC 晶體生長(zhǎng)，設(shè)備的晶體生長(zhǎng)腔室、熱場(chǎng)組件、晶錠取出結(jié)構(gòu)等均針對(duì)這兩種尺寸優(yōu)化 —— 例如 8 英寸晶體生長(zhǎng)時(shí)，腔室空間可容納更大尺寸的晶錠，熱場(chǎng)設(shè)計(jì)確保晶錠各區(qū)域溫度均勻，避免因尺寸增大導(dǎo)致的晶體質(zhì)量不均，適配當(dāng)前 SiC 襯底從 6 英寸向 8 英寸升級(jí)的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。

•適用材料覆蓋

主要適配碳化硅（SiC）與氮化鋁（AIN）兩種寬禁帶半導(dǎo)體材料：

碳化硅（SiC）：作為核心適用材料，可生長(zhǎng)導(dǎo)電型與高純半絕緣型 SiC 晶體，用于制備功率半導(dǎo)體襯底、射頻器件襯底；

氮化鋁（AIN）：通過(guò)配套的 AIN 長(zhǎng)晶爐實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)，AIN 具備優(yōu)異的導(dǎo)熱性與絕緣性，常用于高頻通信器件、高溫傳感器等領(lǐng)域的襯底材料，設(shè)備對(duì)兩種材料的兼容能力可滿足不同寬禁帶半導(dǎo)體器件的制備需求。

•適用工藝類型

采用物理氣相輸運(yùn)法（PVT 法）進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，PVT 法是當(dāng)前 SiC 晶體生長(zhǎng)的主流工藝 —— 該方法通過(guò)加熱 SiC 原料使其升華形成氣相物質(zhì)，氣相物質(zhì)在溫度較低的籽晶表面沉積并結(jié)晶形成 SiC 晶體。設(shè)備針對(duì) PVT 法的工藝特點(diǎn)優(yōu)化了加熱速率、氣相傳輸路徑、籽晶定位精度等參數(shù)，確保 PVT 法生長(zhǎng)過(guò)程穩(wěn)定，提升晶體的純度與結(jié)構(gòu)完整性。

•適用領(lǐng)域延伸

化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域：為 SiC、AIN 基化合物半導(dǎo)體器件（如功率 MOSFET、射頻 HEMT 器件）提供襯底制備設(shè)備支持，是化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的關(guān)鍵裝備；

襯底材料領(lǐng)域：用于高質(zhì)量 SiC 襯底、AIN 襯底的規(guī)模化生產(chǎn)，襯底是半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)材料，設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行可保障襯底的質(zhì)量一致性，為下游器件制造提供優(yōu)質(zhì)基底；

科研領(lǐng)域：設(shè)備的工藝參數(shù)可靈活調(diào)整，支持科研機(jī)構(gòu)開(kāi)展 SiC、AIN 晶體生長(zhǎng)的工藝探索（如新型摻雜工藝、晶體缺陷控制研究），助力寬禁帶半導(dǎo)體材料的技術(shù)創(chuàng)新。

•加熱方式

采用感應(yīng)加熱方式，感應(yīng)加熱通過(guò)電磁感應(yīng)產(chǎn)生熱量，具有加熱效率高、溫度控制精準(zhǔn)、加熱區(qū)域集中等優(yōu)勢(shì) —— 可快速將 SiC 原料加熱至升華溫度，且能通過(guò)調(diào)節(jié)感應(yīng)線圈電流精準(zhǔn)控制加熱溫度，減少溫度波動(dòng)對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響，符合 SiC 晶體生長(zhǎng)對(duì)高溫、高精度控溫的工藝需求。